નીચેનામાંથી કઈ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના બીજી અને ત્ર | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(C) બીજી અને ત્રીજી આયનીકરણ ઉર્જા વચ્ચેનો તફાવત ત્યારે સૌથી વધુ હોય છે જ્યારે ત્રીજો ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે સ્થાયી પૂર્ણ ભરાયેલી કક્ષા કે પેટા-કક્ષા

Vedclass · Accepted Answer

$1s^2 \, 2s^2 \, 2p^6 \, 3s^2$

Vedclass · Answer

(C) બીજી અને ત્રીજી આયનીકરણ ઉર્જા વચ્ચેનો તફાવત ત્યારે સૌથી વધુ હોય છે જ્યારે ત્રીજો ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે સ્થાયી પૂર્ણ ભરાયેલી કક્ષા કે પેટા-કક્ષામાંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવો પડે.$2$ ઇલેક્ટ્રોન દૂર કર્યા પછીની ઇલેક્ટ્રોનિક રચનાઓ તપાસતા:$C$ વિકલ્પમાં,તત્વ $Mg$ ($12$ ઇલેક્ટ્રોન) છે. $2$ ઇલેક્ટ્રોન દૂર કર્યા પછી તે નિષ્ક્રિય વાયુ જેવી સ્થાયી રચના $(1s^2 \, 2s^2 \, 2p^6)$ પ્રાપ્ત કરે છે. આ સ્થાયી અષ્ટકમાંથી $3^{rd}$ ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે ઘણી વધારે ઉર્જાની જરૂર પડે છે.

નીચેનામાંથી કઈ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના બીજી અને ત્રીજી આયનીકરણ ઉર્જા વચ્ચે સૌથી મોટો તફાવત (jump) દર્શાવે છે?

Similar Questions

બીજી આયનીકરણ એન્થાલ્પી (potential) એટલે શું?

$Be$ અને $B$ ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી $\left( eV \right)$ અનુક્રમે કેટલી છે?

નીચેનામાંથી કયું પરિબળ ધન આયન (cation) બનાવવા માટે અનુકૂળ છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module